iTomic PE 系列等离子体增强原子层沉积（ PEALD ）镀膜系统 可根据不同温度要求制备氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等薄膜制备工艺及应用，通过精准快速控制成膜速度、超低反应温度、材料配比等技术，完美实现材料厚度均匀性、膜应力，热过程，以及阶梯覆盖率等极具挑战的工艺需求，技术达到国际先进水平。 iTomic PE 系列设备可为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供客制化掩膜层、介质层、图案化等关键工艺解决方案。

1、采用独特的 Thunder Balance ^TM 技术，实现射频效果的毫秒级切换，具有工艺稳定性好、循环周期短等特点；

2、 多区加热系统确保反应温度的均匀性及稳定性，大大提高薄膜的均匀性；

3、 薄膜材料： SiO _2、 低温 SiO _2、 SiN 等；

4、采用特有的 Hydro Thermal ^TM 技术，实现低温工艺平稳可控，满足低温沉积工艺应用；

5、 多腔设计 , 可搭载 1 至多个 PM ，每个 PM 具有 1 至多个工艺站，可实现高产能、低成本的生产解决方案。